우리 학부 조병진 교수 연구실 강대현 석·박사통합과정 학생이 제32회 삼성휴먼테크논문대상에서 대학생부분 대상을 수상했습니다.
강대현 학생은 플래시 메모리 터널링층 내 적용된 붕소 옥시나이트라이드(Boron Oxynitride, 이하 BON) 소재의 밴드갭 엔지니어링 연구를 통해 차세대 반도체 기술의 새로운 가능성을 제시했다는 평가를 받았습니다.
기존 낸드플래시 메모리는 데이터를 지울 때 발생하는 원치 않는 전하 누설로 인해 저장 안정성이 낮아지는 고질적인 문제가 발생합니다. 강대현 학생은 기존 소재인 SiON 대신 비대칭적 에너지 장벽 특성을 가진 BON 소재를 터널링층에 적용하는 혁신적인 접근법을 택했습니다.
전례 없는 새로운 소재를 다루는 연구인 만큼 증착 공정 설계부터 후처리 조건까지 모든 과정을 스스로 정립해야 하는 어려움이 컸으나, 이를 통해 데이터의 입출력 속도와 신뢰성이 충돌하는 기존의 한계를 획기적으로 완화하는 성과를 거두었습니다.
강대현 학생은 지난해 비슷한 주제로 이 대회에 도전했으나 초록 심사 탈락이라는 실패를 맛봤습니다. 하지만 이를 동력 삼아 1년간 연구 설계를 더욱 철저히 보완한 끝에 대상 수상이라는 결실을 맺었으며, 연구를 지도한 조병진 교수는 지도교수 특별상을 수상했습니다.
강대현 학생은 수상 소감을 통해 “도전하는 용기가 결국 성장을 만든다는 사실을 확신하게 됐다”며, “이번 연구가 단순히 논문에 머물지 않고 실제 메모리 반도체 공정과 양산 환경에서도 의미 있게 기여할 수 있기를 희망한다”고 포부를 밝혔습니다.
삼성휴먼테크논문대상은 1994년 시작된 국내 최고 권위의 논문 경진 대회로, 올해는 총 3,172편의 초록이 접수되어 치열한 경쟁을 벌였습니다. 지난 30여년 간 기초과학 분야가 강세였던 역대 대상 수상 기조 속에서, 전통 반도체 소자 연구로 거둔 이번 성과는 매우 이례적이고 매우 뜻 깊은 결과입니다. 더불어 우리 학부의 탁월한 연구 역량과 미래 반도체 산업을 이끌어갈 인재 육성 성과를 다시 한번 입증하는 계기가 되었습니다.
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