우리 학부 김상현 교수 연구팀이 차세대 트랜지스터 아키텍쳐로 주목받고 있는 Complementary field-effect transistor (CFET) 기술 개발에 대한 성과로 2025년12월8일 IEEE Paul Rappaport Award를 수상했습니다.
IEEE Paul Rappaport Award는 반도체 소자 분야 정통 저널인 IEEE Transactions on Electron Devices (TED)에서 전년도 1년동안 게재된 논문 (2024년 게재논문 총 1202편)중에 가장 우수한 논문을 선정하여 수여하는 상으로 본 성과는 국내 대학에서 최초 수상에 해당합니다.
이번 수상 대상이 된 논문은 “Heterogeneous 3-D Sequential CFETs With Ge (110) Nanosheet p-FETs on Si (100) Bulk n-FETs”으로 김성광 박사 (2023년 전기및전자공학부 박사 졸업) 가 주도하였으며 동 학부 조병진 교수 연구실과의 협업으로 상부 소자로써 (110)면방위를 갖는 Ge 채널을 집적해 CFET의 구조적 문제인 낮은 pFET의 성능을 극복하는 방향성을 제시하였다는 데에 큰 의미를 갖습니다. 또한, 소자 설계, 제작, 평가의 모든 과정을 KAIST에서 전부 진행하여 전기및전자공학부의 높은 연구 수준과 인프라를 대표적으로 증명한 사례로 볼 수 있습니다.
김성광 박사는 “박사 학위 때부터 산업에 종사하고 있는 지금까지 3차원 적층형 소자에 대한 개발을 계속 하고 있는데, 3차원 적층형 소자의 양산을 위해서 헤쳐나가야할 많은 과제들에 대해 계속해서 연구하고 도전해서 우리나라 반도체 기술 개발에 이바지 하겠다”는 포부를 밝혔습니다.
