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김상현 교수 연구팀, 발열 40% 낮춘 초고해상도 마이크로 LED 기술 구현

KAIST, 발열 40% 낮춘 초고해상도 마이크로 LED 기술 구현

 

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– 에피택시 구조 변경 기술로 소자 효율 저하 문제의 근본적인 해결이 가능함을 제시하고, 초고해상도 마이크로 LED 디스플레이 상용화에 크게 기여할 것으로 기대

 

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[김상현 교수, 백우진 박사과정]
 
김상현 교수 연구팀이 소자의 크기가 마이크로미터(μm, 백만분의 1미터) 정도의 크기를 갖는 마이크로 LED의 소형화될 때 소자 효율이 저하되는 현상을 재규명하고 이를 에피택시 구조 변경으로 근본적인 해결이 가능함을 제시했다.
 
에피택시 기술이란 마이크로 LED로 사용되고 있는 초순수 규소 혹은 사파이어 기판을 매개체로 삼아 그 위에 발광체로 쓰이는 질화갈륨 결정체를 쌓아 올리는 공정을 말한다.
 
마이크로 LED는 OLED 대비 우수한 밝기, 명암비, 수명이라는 장점이 있어 활발히 연구되고 있으며 삼성전자는 지난 2018년에 ‘The Wall’이라는 마이크로 LED를 탑재한 제품을 상용화했고 애플은 2025년에 마이크로 LED를 탑재한 제품이 상용화될 것이라는 전망이 있다.
 
마이크로 LED를 제작하기 위해선 웨이퍼 위에 성장된 에피택시 구조를 식각 공정을 통해 원기둥 혹은 직육면체의 모양으로 깎아서 픽셀들을 형성하는데 이 식각 과정에는 플라즈마 기반의 공정이 동반된다.
 
그러나 이러한 플라즈마들은 픽셀 형성 과정에서 픽셀의 측면에 결함들을 발생시킨다. 따라서 픽셀 사이즈가 작아지고 해상도가 높아질수록 픽셀의 표면적 대 부피의 비율이 상승해 공정 중 발생하는 소자 측면 결함이 마이크로 LED의 소자 효율을 더 크게 감소시킨다는 설명이다.
 
이에 측면 결함을 완화 혹은 제거하는 것에 많이 연구가 진행됐지만 이러한 방식은 에피택시 구조를 성장한 뒤 후공정으로 진행해야 하는 만큼 개선의 정도에 한계가 존재한다.
 
연구팀은 마이크로 LED 소자 동작 시 에피택시 구조에 따라 마이크로 LED의 측벽으로 이동하는 전류의 차이가 발생한다는 것을 규명했고, 이를 기반으로 측벽 결함에 민감하지 않는 구조를 설계하여 마이크로 LED 소자 소형화에 따른 효율 저하 문제를 해결했다.
 
또 제시된 구조는 디스플레이 구동 시 발생하게 되는 열을 기존 대비 40% 정도 낮출 수 있어 초고해상도 마이크로 LED 디스플레이 상용화를 위한 연구로써 큰 의미를 갖는다.
 
김상현 교수는 “이번 기술 개발은 마이크로LED의 소형화의 걸림돌이었던 효율 저하의 원인을 규명하고 이를 에피택시 구조의 설계로 해결한 데에 큰 의미가 있고 앞으로 초고해상도 디스플레이에 활용될 것이 기대된다”고 했다.

 

 

[언론기사]

(워크투데이) : KAIST, 발열 40% 낮춘 초고해상도 마이크로 LED 기술 구현 – 워크투데이 (worktoday.co.kr) 

(충청뉴스) : KAIST, 발열 40% 낮춘 초고해상도 마이크로 LED 기술 구현 – 충청뉴스 (ccnnews.co.kr)