삼성전자 DS부문 반도체연구소 박사 채용공고
1. 모집대상 : 2010년 박사학위 취득예정자 또는 旣취득자
2. 모집분야 : 삼성전자 DS부문 반도체연구소 선행공정 및 소자개발
3. 지원기간 : 09월 16일(水) ∼ 09월 30일(水) 24시
4. 채용분야
□ Advanced Process Development
– Photolithography (including EUV, e-beam, OPC/RET) Photo Resist, Oxidation,
Cleaning & CMP, Diffusion, Thin Film, CVD, Ion Impantation, Metallization,
Metrology & Inspection, etc.
※ OPC : Optical Proximity Correction (Comput. Litho)
□ Module Development
– Device Isolation, Transistor, Capacitor, Dielectric
– High-K/Metal Gate, SiO2/SiON Gate Dielectric
– Low-K, Interconnect, etc.
□ FEOL/BEOL Process Integration (DRAM/Flash/Logic, etc.)
□ New Memory : PRAM, STT-MRAM, ReRAM, etc.
□ TCAD/ECAD
– Process & Device Modeling, Material Modeling
– Circuit Compact/Reliability Modeling
– Circuit Simulator Development
□ Advanced CMOS Image Sensor(CIS) Development
– Pixel Design, Image Signal Processing, Mixed IC Design, Analog/Desital Design
– CIS Process Development
5. 지원방법
□ Dearsamsung.co.kr – 경력채용 – DS부문 반도체연구소 박사 채용공고 선택
– 화면아래 "지원하기" 버튼 클릭 후 지원서 작성(DS부문 반도체연구소 1지망 선택)
□ 채용담당자에게 E-Mail로 이력서 제출
※ 본인이력과 전공/연구분야소개를 포함한 세부이력서 필히 첨부(자유형식)
6. 캠퍼스 리크루팅 실시 예정 (일정 확정 후 대상자 개별통보)
7. 선발절차
□ 1차: 서류전형(지원서 검토) → 2차: 면접전형(기술/인사) → 3차: 채용건진
8. 채용담당자
□ 조주영 대리 : juyoung@samusung.com, 031-208-3907
□ 박지혜 사원 : jh1982.park@samsung.com, 031-208-3888