전기및전자공학부 최성율 교수 연구팀이 수행한 연구가 국제 학술지 ‘Advanced Electronic Materials’ 7월 13일 자 표지 논문(Front Cover)으로 게재되었다. 논문 제목은 “Vertical‐Tunneling Field‐Effect Transistor Based on WSe2‐MoS2 Heterostructure with Ion Gel Dielectric”이다.
연구팀은 이차원 반도체 MoS2-WSe2 이종접합 구조를 형성하고 이온 겔 게이트를 이용하여 36 mV/dec 의 SS 값을 가지는 p 타입 수직형 터널링 트랜지스터를 개발하였다. 본 연구에서 개발된 p 타입 터널링 트랜지스터는 다른 n 타입 터널링 트랜지스터와 집적회로로 구현될 수 있으며 컴퓨팅 소자의 전력을 크게 낮출 것으로 기대된다. 이를 통해 향후 스마트 센서 네트워크, 자율 주행 자동차 초고속 모바일 컴퓨팅 시스템 등에 활용될 것으로 전망된다.
아래의 링크에서 해당 논문에 대한 내용을 확인할 수 있다.
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https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/aelm.202070030
