김용훈교수 연구팀은 저차원 페로브스카이트 나노소재의 새 물성을 밝히고 이를 이용한 새로운 비선형 소자 구현 방법을 제시했습니다.
연구팀은 양자효과가 극대화되는 특성을 가진 저차원 유무기 할로겐화 페로브스카이트 물질에 주목했습니다. 슈퍼컴퓨터를 활용해 1차원 페로브스카이트 나노선의 유기물을 벗겨내면, 기존에 보고되지 않은 준 금속성 특성을 발현할 수 있다는 것을 발견했습니다.
이 1차원 무기 틀을 전극으로 활용해 단일 페로브스카이트 나노선 기반의 터널링 접합소자를 제작하면 매우 우수한 비선형 부성미분저항(negative differential resistance, NDR) 소자를 구현할 수 있음을 확인했습니다. 부성미분저항은 특정 구간에서 전압이 증가할 때 전류는 오히려 감소해 전류-전압 특성 곡성이 마치 알파벳 ‘N’모양처럼 비선형적으로 나타나는 현상입니다. 차세대 소자 개발의 원천기술이 되는 매우 중요한 특성입니다.
연구팀은 나아가 이 부성미분저항 특성이 양자역학적 혼성(quantummechanical hybridization)에 기반을 둔 새로운 부성미분저항 원리에 기반함을 밝혀냈습니다. 저차원 할로겐화 페로브스카이트의 새로운 구조적, 전기적 특성을 규명했을 뿐 아니라, 페로브스카이트 기반의 터널링 소자를 이용하면 획기적으로 향상된 부성미분저항 소자 특성을 유도할 수 있음을 증명한 것입니다.
무하메드 칸 박사후연구원과 이주호 박사과정이 공동 1저자로 참여한 이번 연구는 국제 학술지 ‘어드밴스드 펑셔널 머티리얼즈’ 1월 7일자 표지논문으로 선정돼 출간될 예정입니다.
좌측부터 카이스트 이주호 박사과정, 모하메드 칸 박사후 연구원, 김용훈 교수
