소식

NEWS & EVENTS

공지사항

소식

NEWS & EVENTS

공지사항

공지사항

[양경훈 교수] KAIST, 초고속 통신시스템 핵심 부품 세계 첫 개발

KAIST, 초고속 통신시스템 핵심 부품 세계 첫 개발
(양경훈 교수팀 ‘40Gb/s 멀티플렉서 직접회로’개발)

국내 연구진이 세계 최초로 양자 효과를 이용한 초고속 통신 시스템의 핵심부품을 개발, 미국과 일본이 주도해 온 양자 효과 소자 기반의 IC 개발분야에서 우위를 확보할 수 있는 계기를 마련했다.

KAIST(총장 서남표) 전자전산학과 양경훈 교수팀은 초고속 통신 시스템의 핵심 부품인 40 Gb/s 멀티플렉서 집적회로 개발에
성공했다고 25일 밝혔다. 양 교수팀은 교육과학기술부 21세기 프로티어 연구개발사업 중 테라큽나노소자개발사업의 지원을 받아, 양자 효과 소자인 공명 터널다이오드를 이용해 이번 개발을 완료했다.

양 교수팀이 개발한 이 집적회로는 세계 최초로 양자 효과를 이용한 초고속 멀티플렉서로 나노 전자소자 기술의 실용화 가능성을 보여준 것으로 평가받고 있다.

그동안 CMOS, HBT 등 전자소자를 이용한 집적회로들은 차세대 40 Gb/s 급 이상 통신시스템 핵심부품으로 사용돼 왔으나 과도한 전력소모로 인해 소비전력 절감이 요구돼 왔다. 양 교수팀이 개발한 집적회로는 소자수를 반으로 줄이고 전력소모 또한 4분의 1 수준으로 줄여 이같은 문제점을 해결할 수 있을 전망이다.

또한 이번 연구에서 개발된 기술은 멀티플렉서 이외에도 차세대 초고속 통신 시스템을 위해 사용되는 다양한 디지털·아날로그 집적회로 개발에 응용이 가능한 원천기술이다. 또한 기존 사용되던 화합물 반도체 소자 기반 초고속 집적회로 공정설비를 그대로 이용할 수 있어 대량생산도 가능하다.

이번 연구 결과는 지난달 26일 프랑스 파리에서 열린 IEEE IPRM 국제 학술대회에서 발표됐으며 오는 8월 18일 미국 알링턴에서 열리는 세계적 나노기술 학회인 ‘IEEE 나노테크놀로지’ 학회에서도 발표될 예정이다.

함정선 기자 (아시아경제 2008. 6.25)