우리 학부 조병진 교수님 연구팀이, 차세대 반도체 소자 연구상 전력 효율성을 극대화하는 핵심 원천 기술을 개발하여 12월 9일자 전자신문에 보도되었습니다.
이는 게르마늄(Ge) 웨이퍼 위에 새로운 콘셉의 절연막을 씌워 누설 전류를 최소화하는 신기술에 해당합니다. 기존에 주목되었던 핀펫, 게이트올어라운드(GAA) 공정은 소자를 입체화하여 원가절감과 성능향상을 동시에 모색할 수는 있으나, 크기가 줄어들면서 전자와 홀의 이동이 느려진다는 한계가 있었습니다. 조병진 교수님 연구팀은 이러한 한계를 개선할 수 있는 원천 기술을 개발한 것입니다.
이번 개발에 대하여 안기현 반도체산업협회 상무는 “미세화 기술 한계로 기술개발 속도가 더뎌지는 문제를 해결할 수 있을 기술”이라고 평가하였습니다.
한편, 조병진 교수님 연구팀은 해당 기술 개발건으로 2019년에 ‘제 26회 한국반도체학술대회 최우수논문상’을 수상하기도 하였습니다.
이번 연구는 산업통상자원부, 삼성전자, SK하이닉스에서 지원하고 있는 ‘미래반도체소자 원천기술개발자업’의 일환으로 진행되었습니다.
관련 자세한 기사는 아래의 링크에서 확인하실 수 있습니다.
다시 한 번 언론보도 및 수상으로 연말에 좋은 소식 전해주신 조병진 교수님 및 연구진께 감사의 인사를 드립니다.
[Link]
https://www.etnews.com/20201209000094 [전자신문]
https://ee.kaist.ac.kr/node/16602 [박사과정 이태인 학생(조병진 교수 연구실), 제26회 한국반도체학술대회 최우수상]
