조병진교수님 연구실 박사과정 학생 이태인 학생이 제26회 한국반도체학술대회에서 최우수상을 수상했습니다.
논문 제목은 “Ge 기반의 소자에서 Y-ZrO2 게이트 유전체를 이용한 EOT 스케일링 (~5.7Å) 및 누설 전류와 계면 트랩의 감소” 입니다.
이태인 학생은 기존의 물질과 공정 방법을 바꾸어, 이트륨이 도핑된 지르코늄옥사이드(Y doped ZrO2)라는 절연막과 압수소열처리(H2 high pressure annealing)을 사용하여 EOT를 세계 최고 수준인 5.7옹스트롱 (5.7nm)을 달성하면서도, 기존에 보고되었던 어떤 게이트 구조보다 누설 전류가 매우 낮고, 계면 특성이 우수한 박막을 개발해 논문을 발표했습니다.
수상을 진심으로 축하드립니다.
