공과대학 올해의 동문상, 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원 부사장 선정
< 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원 부사장 >
공과대학이 ‘올해의 자랑스러운 공과대학 동문’으로 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원 부사장을 선정했다.
11일 오후 학술문화관(E9) 양승택 오디토리움에서 열린 시상식에는 문재균 공과대학장, 이재우 공과대학 부학장, 강준혁 전기및전자공학부 학부장 등이 참석했다.
제7회 KAIST 공과대학 올해의 동문상 수상자로 선정된 차선용 SK하이닉스 미래기술연수원 부사장은 전기및전자공학부에서 학사(1991년), 석사(1995년), 박사(2000년) 학위를 받았다.
차 부사장은 10나노급 D램(DRAM) ‘테크 플랫폼(Tech.Platform)’을 도입해 SK하이닉스의 D램 발전을 이끈 주역이자 초고속 고대역폭 메모리(HBM2E) 및 고성능 서버에 활용되는 제품(DDR5)을 세계 최초로 상용화한 주인공이다.
특히, 반도체 패권 전쟁 및 경기 침체 등으로 인한 글로벌 대외환경의 악화 속에서도 고대역폭메모리(HBM), 더블데이터레이트(Double Data Rate, DDR), 로우파워 더블 데이터 레이트(Low Power Double Data Rate, LPDDR) 등의 제품개발을 주도해 한국 메모리 경쟁력 강화 및 위상 제고에 크게 기여했다.
2019년 당시 최고속도인 3세대 고대역폭메모리(High Bandwidth Memory2Extended, HBM2E)를 개발해 초고속 메모리의 발전을 주도했을 뿐만 아니라, 2020년 세계 최초로 16GB DDR5(Double Data Rate 5) D램을 출시해 대한민국 반도체 산업이 빅데이터와 서버 시장 우위를 점하는 데 일조했다.
< (왼쪽부터) 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원 부사장과 문재균 공과대학장 >
또한, 차 부사장은 기업의 경제적 이익 추구를 넘어서 국내 반도체 산업 생태계에 더 많은 사회적 가치를 창출하는 활동에도 앞장섰다.
다양한 분야의 전문가, 기업, 학계 등과 SK하이닉스의 경계 없는 파트너십을 구축을 위해 미래 반도체 연구 분야와 그간의 연구성과를 공유하는 리서치 웹사이트를 외부에 공개하고 동종업계를 포함한 학계와 긴밀히 소통하며 열린 혁신을 주도하고 있다.
아울러, SK하이닉스의 분석 인프라를 국내 소재·부품·장비 업체와 공유해 반도체 산업 전반의 기술 경쟁력과 역량 향상을 지원하고 있다. 향후, 선제적 기술 협력 강화, 지속 가능 경영을 위한 협력 추진 등을 통해 국내 반도체 생태계 발전을 지속해서 선도할 계획이다.
문재균 공과대학장은 “차선용 부사장이 테크 플랫폼을 도입 및 확장한 공로를 통해 메모리의 한계를 극복하고 초고속 D램을 출시하는 등 혁신적인 제품 개발을 이끌어 학교 명예를 높였기에 공과대학 올해의 동문상 수상자로 선정했다”라고 밝혔다.
< (왼쪽 다섯 번째) 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원 부사장과 공과대학 관계자들 >
차 부사장은 시상식을 마친 후 ‘AI 컴퓨팅 시대를 선도하는 메모리 혁신의 원동력’이란 주제로 수상기념 강연을 진행했다.
공과대학 ‘올해의 동문상’은 산업기술 발전에 공헌하거나 뛰어난 학문 성취를 통해 학교의 명예를 높인 동문을 선정해 수여하는 상으로 2014년 제정됐다. 2014년 제1회 동문상은 유태경 ㈜루멘스 대표가, 2015년 제2회 수상자로는 넥슨 창업자인 김정주 ㈜NXC 대표, 2017년 제3회에는 이우종 전 LG전자 VC사업본부 사장, 2019년 제4회 수상자로는 임병연 롯데케미칼(주) 대표이사, 2021년 제5회 김형준 한국항공우주산업(주) 부사장, 2022년에는 김한곤 한국수력원자력(주) 중앙연구원장이 각각 선정된 바 있다.
